Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, Одиночный, 600 В, 30 А, 2 В, 45 нс, 200 А...
0 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, Одиночный, 600 В, 30 А, 2 В, 45 нс, 200 А...
193 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, Одиночный, 600 В, 30 А, 2 В, 45 нс, 200 А...
194 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, Одиночный, 600 В, 30 А, 2 В, 45 нс, 200 А...
208 ₽
Brand: VISHAY
Быстрый / ультрабыстрый диод, Одиночный, 600 В, 8 А, 3.4 В, 24 нс, 80 А...
89 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, гипербыстрый, Одиночный, 600 В, 8 А, 3.4 В, 24 нс, 80 А...
149 ₽
Brand: VISHAY
Быстрый / ультрабыстрый диод, Одиночный, 600 В, 15 А, 3.4 В, 30 нс, 120 А...
0 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, гипербыстрый, Одиночный, 600 В, 15 А, 3.4 В, 30 нс, 120 А...
124 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, гипербыстрый, Одиночный, 600 В, 15 А, 3.4 В, 30 нс, 120 А...
130 ₽
Brand: VISHAY
Силовой диод быстрого действия, гипербыстрый, Одиночный, 600 В, 15 А, 3.4 В, 30 нс, 120 А...
137 ₽
Brand: VISHAY
Биполярный транзистор, N Канал, 180 А, 100 В, 6.5 мОм, 10 В.The VS-FB180SA10P is a 5th generation high current density N channel Power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low on-resistance and cost effectiveness...
0 ₽
Brand: VISHAY
Биполярный транзистор, N Канал, 190 А, 100 В, 0.0054 Ом, 10 В, 3.3 В.The VS-FB190SA10 is a 100V N-channel Power MOSFET, high current density power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design and very low on-resistance. The iso..
0 ₽
Показано с 12505 по 12516 из 12863 (всего 1072 страниц)