Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS3443T1G
МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -20 В, 0.065 Ом, -4.5 В, -950 мВ.The NTGS3443T1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA ca..
26 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS3446T1G
N CHANNEL MOSFET, 20V, 5.1A, TSOP...
36 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS3455T1G
МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.094 Ом, -10 В, -1.87 В...
48 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS3455T1G.
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.5A, TSOP...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS4111PT1G
МОП-транзистор, P Канал, 4.7 А, -30 В, 0.06 Ом, -10 В, -3 В...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS4141NT1G
МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 30 В, 0.0215 Ом, 10 В, 3 В...
35 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTGS5120PT1G
МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -60 В, 72 мОм, -10 В, -3 В...
28 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTH027N65S3F-F155
МОП-транзистор, N Канал, 75 А, 650 В, 0.023 Ом, 10 В, 5 В.ON Semiconductor's 650V SuperFET III series provides the highest performance Super Junction MOSFETs specifically designed for highest power density...
3 712 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTHC5513T1G
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.9 А, 20 В, 0.058 Ом, 4.5 В, 600 мВ...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTHD3100CT1G
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, -3.9 А, -20 В, 0.064 Ом, -4.5 В, -1.5 В.The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive smal..
84 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTHD3100CT1G.
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A, FULL REEL...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NTHD3101FT1G
МОП-транзистор, с диодом Шоттки, P Канал, -3.2 А, -20 В, 0.064 Ом, -4.5 В, -1.5 В...
0 ₽
Показано с 5053 по 5064 из 10979 (всего 915 страниц)