Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: VISHAY Артикул: SI3529DV-T1-GE3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 40 В, 0.1 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3552DV-T1-E3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.085 Ом, 10 В, 1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3552DV-T1-GE3
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, TSOP...
48 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3585CDV-T1-GE3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 3.9 А, 20 В, 0.048 Ом, 4.5 В, 1.5 В...
33 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3585DV-T1-E3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2 А, 20 В, 0.1 Ом, 4.5 В, 600 мВ...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3585DV-T1-GE3
DUAL N/P CH MOSFET, 20V, 1.8A, TSOP...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3586DV-T1-E3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.9 А, 20 В, 47 мОм, 4.5 В, 1.1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3588DV-T1-E3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 20 В, 0.064 Ом, 4.5 В, 450 мВ.The SI3588DV-T1-E3 is a 20V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3588DV-T1-GE3
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, TSOP...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3590DV-T1-GE3
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.062 Ом, 4.5 В, 1.5 В.The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated ..
78 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3805DV-T1-GE3
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.3A, TSOP...
0 ₽
Brand: VISHAY Артикул: SI3861BDV-T1-E3
NPN/PNP MOSFET, 20V, TSOP...
0 ₽
Показано с 5989 по 6000 из 10979 (всего 915 страниц)