Полупроводники - Дискретные

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 4 А, 20 В, 45 мОм, 4.5 В, 1.2 В...

Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -2.9 А, -20 В, 64 мОм, -4.5 В, -1.5 В...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.1 А, 20 В, 0.06 Ом, 4.5 В, 1.2 В...

МОП-транзистор, N Канал, 65 А, 650 В, 0.032 Ом, 10 В, 5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 650 В, 0.054 Ом, 10 В, 5 В...

МОП-транзистор, SuperFET®, N Канал, 40 А, 650 В, 0.07 Ом, 10 В, 5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 650 В, 0.098 Ом, 10 В, 5 В...

МОП-транзистор, P Канал, -4.8 А, -20 В, 21 мОм, -4.5 В, -1.5 В...

P CHANNEL MOSFET, -8V, SC-88...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 250 мА, 30 В, 1 Ом, 4 В, 1.2 В...

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 630 мА, 20 В, 0.29 Ом, 4.5 В, 920 мВ.The NTJD4105CT1G is a -8/20V P and N-channel Small Signal MOSFET designed with low RDS(on) for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS (on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-..