Brand: VISHAY
Артикул: SIA433EDJ-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.015 Ом, -4.5 В, -1.2 В.The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.New thermally enhanced PowerPAK® package Small footprint area Low ON-resistance ..
39 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA436DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 8 В, 0.0078 Ом, 4.5 В, 350 мВ...
52 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA437DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ...
51 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA444DJT-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 0.014 Ом, 10 В, 1 В...
0 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA445EDJ-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.0135 Ом, -4.5 В, -500 мВ...
39 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA447DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, 12 А, -12 В, 0.011 Ом, -4.5 В, -400 мВ...
32 ₽
Brand: VISHAY
Артикул: SIA448DJ-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 20 В, 0.0125 Ом, 4.5 В, 400 мВ...
0 ₽