Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Ассортименты Полупроводников Ассортименты Полупроводников
Диоды Диоды
Диоды - Силовые Модули Диоды - Силовые Модули
Силовые Модули Силовые Модули
Тиристоры Тиристоры
Транзисторы Транзисторы
Сравнение товаров0
SI2343DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2343DS-T1-GE3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236...
42 ₽
В корзину
SI2347DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -5 А, -30 В, 0.033 Ом, -10 В, -2.5 В...
37 ₽
В корзину
SI2347DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -5 А, -30 В, 0.033 Ом, -10 В, -2.5 В...
12 ₽
В корзину
SI2351DS-T1-E3
Brand: VISHAY
SI2351DS-T1-E3
МОП-транзистор, P Канал, -2.8 А, -20 В, 0.092 Ом, -4.5 В, -600 мВ...
0 ₽
В корзину
SI2351DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2351DS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -20 В, 0.092 Ом, -4.5 В, -1.5 В...
0 ₽
В корзину
SI2356DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 40 В, 0.042 Ом, 10 В, 1.5 В...
21 ₽
В корзину
SI2356DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 40 В, 0.042 Ом, 10 В, 1.5 В...
13 ₽
В корзину
SI2365EDS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2365EDS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -20 В, 0.0265 Ом, -4.5 В, -1 В...
16 ₽
В корзину
SI2365EDS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2365EDS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -5.9 А, -20 В, 0.0265 Ом, -4.5 В, -1 В...
0 ₽
В корзину
SI2366DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2366DS-T1-GE3
МОП-транзистор, N Канал, 5.8 А, 30 В, 0.03 Ом, 10 В, 1.2 В...
38 ₽
В корзину
SI2367DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2367DS-T1-GE3
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A...
24 ₽
В корзину
SI2369DS-T1-GE3
Brand: VISHAY
SI2369DS-T1-GE3
МОП-транзистор, P Канал, -7.6 А, -30 В, 0.024 Ом, -10 В.The SI2369DS-T1-GE3 is a P-Channel 30V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on Trench MOSFET® technology...
35 ₽
В корзину
Показано с 7333 по 7344 из 12863 (всего 1072 страниц)