Полупроводники - Дискретные

Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 2.5 А, 30 В, 0.062 Ом, 4.5 В, 1.5 В.The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated ..

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 2 А, 20 В, 0.125 Ом, 4.5 В, 600 мВ...

Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.7 А, 30 В, 0.047 Ом, 10 В, 2.2 В...