Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFH24N60M2
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.168 Ом, 10 В, 3 В. Increased distance between pins (4.25 mm) Better protection versus high voltage arcing Cost saving solution avoiding the usage of expensive workarounds such as silicon potting, sleeves, leads-bending and sealant paste..
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFI11N65M2
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 650 В, 0.6 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFU10N80K5
МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 800 В, 0.47 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFU16N65M2
МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 650 В, 0.32 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFU9N65M2
МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 650 В, 0.79 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFW3N150
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1.5 кВ, 6 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFW40N60M2
МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 600 В, 0.078 Ом, 10 В, 3 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFW4N150
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1.5 кВ, 5 Ом, 10 В, 4 В.The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per ..
875 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFW60N65M5
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 46 А, 650 В, 0.049 Ом, 10 В, 4 В...
1 811 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STFW6N120K3
МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 1.2 кВ, 1.95 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STGB10M65DF2
БТИЗ транзистор, 20 А, 1.55 В, 115 Вт, 650 В, TO-263, 3 вывод(-ов)...
0 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS Артикул: STGB10NC60HDT4
БТИЗ транзистор, 10 А, 2.5 В, 65 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)...
0 ₽
Показано с 7717 по 7728 из 10979 (всего 915 страниц)