Полупроводники - Дискретные

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -8 В, 0.037 Ом, -1.2 В, 350 мВ...

МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В, 0.0158 Ом, 10 В, 3 В...

P CHANNEL MOSFET...

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.015 Ом, -4.5 В, -1.2 В.The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.New thermally enhanced PowerPAK® package Small footprint area Low ON-resistance ..

МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В, 0.015 Ом, -4.5 В, -1.2 В.The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.New thermally enhanced PowerPAK® package Small footprint area Low ON-resistance ..

МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 8 В, 0.0078 Ом, 4.5 В, 350 мВ...

МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ...

МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 40 В, 0.021 Ом, 10 В...