Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 7.2 А, 950 В, 1.1 Ом, 10 В, 4 В...
309 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 300 В, 900 мОм, 10 В, 3.75 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 5.4 А, 400 В, 1 Ом, 10 В, 3.75 В...
101 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 5.4 А, 400 В, 1 Ом, 10 В, 3.75 В...
0 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.2 А, 800 В, 1.8 Ом, 10 В, 3.75 В...
189 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.2 А, 800 В, 1.5 Ом, 10 В, 3.75 В.The STP7NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistanc..
268 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 600 В, 0.84 Ом, 10 В, 3 В...
153 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3.25 А, 800 В, 950 мОм, 10 В, 4 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 100 В, 0.0085 Ом, 10 В, 3.5 В...
291 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 61 А, 200 В, 0.019 Ом, 10 В, 4 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 30 В, 0.004 Ом, 10 В, 1 В.The STP80NF03L-04 is a 30V N-channel STripFET™ II Power MOSFET developed using unique "single feature size"™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche..
242 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 6.5 мОм, 10 В, 3 В.The STP80NF06 is a 60V N-channel STripFET™ II Power MOSFET developed using unique "single feature size"™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche char..
505 ₽
Показано с 9853 по 9864 из 12863 (всего 1072 страниц)