Brand: STMICROELECTRONICS
Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, Двойной NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, SOIC...
37 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, 1000 hFE, DIP...
57 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 2.25 Вт, 500 мА, 1000 hFE, DIP...
331 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Массив биполярных транзисторов, N и P Дополнение, 50 В, 250 мВт, 200 мА, 200 hFE, SC-70...
17 ₽
Brand: VISHAY
Быстрый / ультрабыстрый диод, Одиночный, 400 В, 1 А, 1 В, 50 нс, 30 А.The US1G-E3/5AT is a surface mount ultrafast Rectifier Diode with matte tin-plated leads terminals, UL94V-0 flame-rated moulding compound case and colour band denotes cathode end polarity. Glass passivated chip junction, ultrafast..
15 ₽