Меню
Корзина

Драйверы МОП-транзистора

Brand: TEXAS INSTRUMENTS Артикул: LM5109BMAX/NOPB .
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 8В до 14В питание, 1А выход, 30нс задержка, SOIC-8...
0 ₽
Brand: TEXAS INSTRUMENTS Артикул: LM5111-1MX/NOPB .
Драйвер МОП-транзистора, низкой стороны, 3.5В до 14В питание, 5А выход, 25нс задержка, SOIC-8...
0 ₽
Brand: TEXAS INSTRUMENTS Артикул: LM5113SD/NOPB
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 4.5В до 5.5В питание, 5А выход, 28нс задержка, WSON-10...
0 ₽
Brand: TEXAS INSTRUMENTS Артикул: LMG1020YFFT .
MOSFET Driver, Low Side, 4.75V to 5.25V Supply, 5A Out, 2.6ns Delay, DSBGA-6...
0 ₽
Brand: TEXAS INSTRUMENTS Артикул: LMG5200MOFT
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 4.75В - 5.25В питание, 10А выход, 29.5нс задержка, QFM-9.The LMG5200 device, an 80V, 10A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80V GaN F..
2 031 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: MC33151VDR2G
Драйвер МОП-транзистора, инвертирующий, двойной, 6.5В до 18В, 1.5А выход, 36нс задержка, SOIC-8...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: MC33152VDR2G
Драйвер МОП-транзистора, двойной, низкой стороны, 6.1В - 18В питание, 1.5А выход, SOIC-8...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NCP1392DDR2G
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, встроенный генератор, 0В - 20В, 1А выход, 20нс задержка...
0 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NCP1393BDR2G
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 8В - 12В питание, 1А выход, 16В фиксация, 40нс/20нс вкл/выкл...
84 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NCP5106AMNTWG
Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 250мА выход, 100нс задержка...
80 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NCP5106BDR2G
Драйвер МОП-транзистора/БТИЗ, высокой и низкой сторон, 10В до 20В, 500мА выход, 100нс...
156 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR Артикул: NCP5109ADR2G
Драйвер МОП-транзистора, высокой и низкой сторон, 10В - 20В питание, 500мА выход, 100нс задержка...
0 ₽
Показано с 37 по 48 из 105 (всего 9 страниц)