Транзисторы

Биполярные транзисторы

БТИЗ Массивы и Модули

БТИЗ Одиночные

МОП-транзистор

МОП-транзисторы

Полевые Транзисторы с Управляющим p-n-переходом

Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)

Разные Транзисторы

РЧ Полевые Транзисторы

Транзисторы

Транзисторы - БТИЗ Массивы и Модули

Транзисторы - БТИЗ Одиночные

Транзисторы - Однопереходные Программируемые

Транзисторы - Радиочастотные Полевые Транзисторы

Сравнение товаров0

Сортировка:

Показать:

Brand: VISHAY

SIR638DP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В, 730 мкОм, 10 В, 2.3 В...

204 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR640ADP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В, 0.00165 Ом, 10 В, 2 В...

166 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR640ADP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В, 0.00165 Ом, 10 В, 2 В...

166 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR640DP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 40 В, 0.0014 Ом, 10 В, 1 В...

0 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR640DP-T1-GE3.

MOSFET, N-CH, 40V, 60A, POWERPAKSO-8...

0 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR644DP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 40 В, 0.0022 Ом, 10 В...

0 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR662DP-T1-GE3

MOSFET, N CHANNEL, 60V, 60A, POWERPAKSO-8...

0 ₽

В корзину

Brand: VISHAY

SIR662DP-T1-GE3

МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0022 Ом, 10 В, 1 В.The SIR662DP-T1-GE3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in synchronous rectification, primary side switch, amusement system, DC/DC converter and point of load converter circuits. The N-channel MOSFET for switching ap..

0 ₽