LMG5200MOFT
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
2 789 ₽
Драйвер МОП-транзистора, полумостовой, 4.75В - 5.25В питание, 10А выход, 29.5нс задержка, QFM-9.
The LMG5200 device, an 80V, 10A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80V GaN FETs driven by one high-frequency GaNFET driver in a half-bridge configuration
- Ideal for isolated and non-isolated applications
- Gate driver capable of up to 10MHz switching
- Class D amplifiers for audio
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 0.45г |
| Задержка Выхода | 29.5нс |
| Количество Выводов | 9вывод(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 5.25В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 4.75В |
| Пиковый Выходной Ток | 10А |
| Стиль Корпуса Привода | QFM |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3 - 168 часов |