NTHD3100CT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
93 ₽
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, -3.9 А, -20 В, 0.064 Ом, -4.5 В, -1.5 В.
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 0.1г |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -20В |
| Непрерывный Ток Стока | -3.9А |
| Полярность Транзистора | N и P Дополнение |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.064Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |