FDC658P
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
85 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -4 А, -30 В, 0.041 Ом, -10 В, -1.7 В Новинка.
The FDC658P is a logic level single P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 8nC Typical low gate charge
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 0.02г |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
| Непрерывный Ток Стока | -4А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.041Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |