Меню
Корзина

FDN359AN

FDN359AN

МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 30 В, 0.037 Ом, 10 В, 1.6 В Новинка.


The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

  • Very fast switching
  • Low gate charge

Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (27-Jun-2018)
Вес0.03г
Количество Выводов3вывод(-ов)
Линейка ПродукцииPowerTrench Series
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Непрерывный Ток Стока2.7А
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Рассеиваемая Мощность500мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.037Ом
Стиль Корпуса ТранзистораSuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный