FDN359AN
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.7 А, 30 В, 0.037 Ом, 10 В, 1.6 В Новинка.
The FDN359AN is a N-channel logic level MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Very fast switching
- Low gate charge
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
Вес | 0.03г |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 2.7А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.037Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |