
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
ПЛИС/драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, питание -0.3В до 17В, 650мА, 105нс.
The L6385ED is a simple and compact high voltage Gate Driver manufactured with the BCD™ offline technology and able to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT device. The high-side (floating) section is able to work with voltage rail up to 600V. Both device outputs can independently sink and source 650 and 400mA respectively and can be simultaneously driven high. The L6385E device provides two input pins and two output pins and guarantees the outputs toggle in phase with inputs. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. The bootstrap diode is integrated inside the device, allowing a more compact and reliable solution. The L6385E features the UVLO protection on both lower and upper driving sections (VCC and Vboot), ensuring greater protection against voltage drops on the supply lines.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
Задержка Выхода | 105нс |
Задержка по Входу | 110нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 17В |
Минимальная Рабочая Температура | -45°C |
Минимальное Напряжение Питания | -300мВ |
Пиковый Выходной Ток | 650мА |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Упаковка | Поштучно |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3 - 168 часов |