ИК излучатель, высокоскоростной, 3 °, T-1 3/4 (5mm), 100 мА, 1.9 В, 10 нс, 10 нс.
The VSLY5850 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and high speed and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation and good spectral matching with CMOS cameras.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Время Спада Импульса tf | 10нс |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальное Прямое Напряжение | 1.9В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Средний Прямой Ток | 100мА |
| Стиль Корпуса Диода | T-1 3/4 (5mm) |
| Угол Обзора | 3° |
| Упаковка | Поштучно |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |