ИК излучатель, высокоскоростной, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 100 мА, 1.45 В, 15 нс, 15 нс.
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Время Спада Импульса tf | 15нс |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальное Прямое Напряжение | 1.45В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Средний Прямой Ток | 100мА |
| Стиль Корпуса Диода | T-1 3/4 (5mm) |
| Угол Обзора | 38° |
| Упаковка | Поштучно |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |