
ИК излучатель, высокоскоростной, 120 °, 0805, 100 мА, 10 нс, 10 нс.
The VSMY1850X01 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with high radiant intensity, high optical power and high speed, moulded in clear. It is suitable for high pulse current operation and floor life of 168h, MSL 3, according to J-STD-020.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
Время Спада Импульса tf | 10нс |
Линия Продукции | AEC-Q100 |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальное Прямое Напряжение | - |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Средний Прямой Ток | 100мА |
Стиль Корпуса Диода | 0805 |
Угол Обзора | 120° |
Упаковка | Разрезная Лента |