2N5551G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
17 ₽
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 160 В, 300 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE.
The 2N5551G is a small signal high voltage NPN silicon Bipolar Transistor, designed for general purpose switching applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 600мА |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 625мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 300МГц |