Меню
Корзина

MJB44H11G

MJB44H11G
MJB44H11G
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
134 ₽
В корзину

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 50 МГц, 50 Вт, 10 А, 40 hFE.


The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

Характеристики
DC Ток Коллектора10А
DC Усиление Тока hFE40hFE
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (17-Dec-2015)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Линия Продукции-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Полярность ТранзистораNPN
Рассеиваемая Мощность50Вт
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный
Частота Перехода ft50МГц