MJ11015G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
1 587 ₽
Биполярный транзистор, PNP, -120 В, 200 Вт, -30 А, 1000 hFE.
The MJ11015G from On Semiconductor is a through hole, 30A, 120V PNP darlington bipolar power transistor in TO-204AA(TO-3) package. Features high DC current gain and monolithic construction with built-in base emitter shunt resistor. It functions as an output device in complementary general purpose amplifier applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | -30А |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -120В |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
| Частота Перехода ft | - |