MJ11016G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
858 ₽
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 120 В, 200 Вт, 30 А, 1000 hFE.
The MJ11016G is a 120V Silicon NPN Bipolar Darlington Power Transistor designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 30А |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 120В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-204AA |
| Частота Перехода ft | - |