MJ11033G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
2 255 ₽
Биполярный транзистор, PNP, -120 В, 300 Вт, -50 А, 400 hFE.
The MJ11033G is a PNP Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | -50А |
| DC Усиление Тока hFE | 400hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -120В |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3 |
| Частота Перехода ft | - |