MJD122G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
114 ₽
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1.75 Вт, 8 А, 2500 hFE.
The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-TIP122 series and TIP125-TIP127 series as well has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 8А |
| DC Усиление Тока hFE | 2500hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 100В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 1.75Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |