MJE5852G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
407 ₽
Биполярный транзистор, PNP, 400 В, 80 Вт, 8 А, 15 hFE.
The MJE5852G is a -400V PNP silicon Bipolar Power Transistor designed for high voltage, high speed and power switching in inductive circuits where fall time is critical. This switch-mode series transistor is particularly suited for line operated switch-mode applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 8А |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | MJxxxx Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 400В |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 80Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Частота Перехода ft | - |