MMBT5551LT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
5 ₽
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 160 В, 225 мВт, 600 мА, 80 hFE.
The MMBT5551LT1G is an NPN Silicon High Voltage Transistor designed for requiring unique site and control change requirements. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | 600мА |
| DC Усиление Тока hFE | 80hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | MMBTxxxx Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 160В |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Частота Перехода ft | - |