Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1.75 Вт, 8 А, 2500 hFE.The MJD122G is a 100V Silicon NPN Bipolar Complementary Darlington Power Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Thins transistor is surface mount replacements for 2N6040-2N6045 series, TIP120-T..
118 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE...
108 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В, 4 МГц, 20 Вт, 8 А, 1000 hFE...
62 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 1.75 Вт, -8 А, 12 hFE...
127 ₽
Brand: STMICROELECTRONICS
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, 100 В, 20 Вт, 5 А, 1000 hFE...
46 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 100 hFE...
79 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 4 МГц, 20 Вт, -8 А, 2500 hFE...
57 ₽
Brand: ON SEMICONDUCTOR
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 25 В, 65 МГц, 12.5 Вт, 5 А, 70 hFE...
67 ₽