FDG6322C
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 220 мА, 25 В, 2.6 Ом, 4.5 В, 850 мВ.
The FDG6322C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 0.5г |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 220мА |
| Полярность Транзистора | N и P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 850мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 300мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2.6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |