IRF630..
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 400 мОм, 10 В, 3 В.
The IRF630 from STMicroelectronics is a through hole, 200V N channel mesh overlay II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET is designed using the company's consolidated strip layout based MESH OVERLAY process which matches and improves the performances. Features extremely high dv/dt capability, very low intrinsic capacitances and gate charge minimized.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 100Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.4Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |