МОП-транзистор, P Канал, 1.75 А, -200 В, 3 Ом, -10 В, -4 В.
The IRF9610PBF is a -200V P-channel Power MOSFET uses advanced HEXFET technology. The efficient geometry and unique processing of the HEXFET design achieve very low on-state resistance combined with high transconductance and extreme device ruggedness. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -200В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.75А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -4В |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |