МОП-транзистор, N Канал, 1.3 А, 100 В, 270 мОм, 10 В, 4 В.
The IRFD120PBF is a 100V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.27Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |