МОП-транзистор, P Канал, 700 мА, -100 В, 1.2 Ом, -10 В, -4 В.
The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -100В |
| Непрерывный Ток Стока | 700мА |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | DIP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |