МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 60 В, 0.0022 Ом, 10 В, 1 В.
The SIR662DP-T1-GE3 is a 60V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in synchronous rectification, primary side switch, amusement system, DC/DC converter and point of load converter circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 104Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0022Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |