NTD5867NLT4G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
76 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 60 В, 0.026 Ом, 10 В, 1.8 В.
The NTD5867NLT4G from On Semiconductor is a surface mount, 60V N channel power MOSFET in DPAK package. This device features high current capability, low RDS (on) and avalanche tested thus resulting in minimal conduction losses, robust load performance and voltage overstress safeguard. This MOSFET is used for LED backlighting, DC to DC converter, motor driver and UPS inverter.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 36Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.026Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |