SI7101DN-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
115 ₽
МОП-транзистор, P Канал, -35 А, -30 В, 0.0058 Ом, -10 В, -1.2 В.
The SI7101DN-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
| Непрерывный Ток Стока | -35А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0058Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |