BSS138W
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 210 мА, 50 В, 1.17 Ом, 10 В, 1.3 В Новинка.
The BSS138W is a N-channel enhancement-mode FET designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 0.07г |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Непрерывный Ток Стока | 210мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 340мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.17Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |