FCD4N60TM
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
80 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 600 В, 1 Ом, 10 В, 5 В Новинка.
The FCD4N60TM is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 12.8nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 32pF)
- 100% avalanche tested
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Вес | 1.81г |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |