FQT13N06LTF
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.8 А, 60 В, 0.088 Ом, 10 В, 2.5 В Новинка.
The FQT13N06LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% Avalanche tested
- 4.8nC Typical low gate charge
- 17pF Typical low Crss
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | To Be Advised |
| Вес | 0.19г |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.8А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.088Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |