Меню
Корзина

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3
SIS606BDN-T1-GE3
  • Наличие: Под заказ 3-4 недели
129 ₽
В корзину

МОП-транзистор, N Канал, 35.3 А, 100 В, 0.0145 Ом, 10 В, 4 В.


Характеристики
SVHC (Особо Опасные Вещества)No SVHC (15-Jan-2018)
Вес0.07г
Количество Выводов8вывод(-ов)
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV Series
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Непрерывный Ток Стока35.3А
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность52Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0145Ом
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1 - Безлимитный