Транзисторы

IGBT MODULE, 600V, 16A, SIP...

БТИЗ массив и модульный транзистор, HEXFRED, N Канал, 27 А, 1.6 В, 63 Вт, 600 В, SIP...

IGBT MODULE, 600V, 27A, SIP...

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 24 А, 1.8 В, 63 Вт, 600 В, SIP...

БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 88 А, 1.8 В, 338 Вт, 600 В, Module...

Биполярный транзистор, N Канал, 180 А, 100 В, 6.5 мОм, 10 В.The VS-FB180SA10P is a 5th generation high current density N channel Power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low on-resistance and cost effectiveness...

Биполярный транзистор, N Канал, 190 А, 100 В, 0.0054 Ом, 10 В, 3.3 В.The VS-FB190SA10 is a 100V N-channel Power MOSFET, high current density power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design and very low on-resistance. The iso..

БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 182 А, 2.25 В, 520 Вт, 1.2 кВ, INT-A-PAK...

БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 220 А, 1.39 В, 780 Вт, 600 В, INT-A-PAK...

БТИЗ транзистор, 200 А, 1.1 В, 630 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)...

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 1.92 В, 500 Вт, 600 В, SOT-227...

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 1.6 В, 500 Вт, 600 В, ISOTOP...