Меню
Корзина

Полупроводники - Дискретные

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1 кВ, 5.4 Ом, 10 В, 3.75 В...
0 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 500 В, 2.8 Ом, 10 В, 3.75 В...
53 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.6 Ом, 10 В, 3.75 В...
85 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 3.3 Ом, 10 В, 3.75 В...
96 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 800 В, 4.5 Ом, 10 В, 3.75 В.The STP3NK80Z is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance ..
81 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 900 В, 4.1 Ом, 10 В, 3.75 В...
103 ₽
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 900 В, 4.8 Ом, 10 В, 3.75 В...
126 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 600 В, 0.078 Ом, 10 В, 3 В...
843 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 22 мОм, 10 В, 1.7 В...
74 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 100 В, 0.025 Ом, 10 В, 3 В.The STP40NF10 is a N-channel low gate charge STripFET™II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics an..
122 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.028 Ом, 10 В, 1.7 В.The STP40NF10L is a 100V N-channel Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency i..
137 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 200 В, 38 мОм, 10 В, 3 В...
508 ₽
Показано с 9781 по 9792 из 12863 (всего 1072 страниц)