Полупроводники - Дискретные

МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 600 В, 0.076 Ом, 10 В, 3 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 33 А, 650 В, 0.07 Ом, 10 В, 4 В...

Силовой МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 34 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 4 В...

МОП-транзистор, N Канал, 45 А, 100 В, 0.0145 Ом, 10 В, 4.5 В...

МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 600 В, 0.085 Ом, 10 В, 4 В Новинка...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 650 В, 0.067 Ом, 10 В, 4 В.The STP45N65M5 is a 650V N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The MOSFET has extremely l..

МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 60 В, 28 мОм, 10 В, 3 В...

МОП-транзистор, N Канал, 42 А, 300 В, 0.063 Ом, 10 В, 3 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 1.5 кВ, 5 Ом, 30 В, 4 В.The STP4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per a..

МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 525 В, 2.1 Ом, 10 В, 3.75 В...

Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3.8 А, 620 В, 1.7 Ом, 10 В, 3.75 В...

МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 800 В, 2.1 Ом, 10 В, 4 В...