NCP5111DR2G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
151 ₽
Двойной драйвер, полумостовой, питание 10В-20В, 500мА, задержка 100нс, SOIC-8.
The NCP5111DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the high-side power switch.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Задержка Выхода | 100нс |
| Задержка по Входу | 750нс |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Пиковый Выходной Ток | 500мА |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Упаковка | Разрезная Лента |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | - |