MMBT3906LT1G
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
5 ₽
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -40 В, 250 МГц, 225 мВт, -200 мА, 300 hFE.
The MMBT3906LT1G is a PNP silicon Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications.
| Характеристики | |
| DC Ток Коллектора | -200мА |
| DC Усиление Тока hFE | 300hFE |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | MMBTxxxx Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | -40В |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Рассеиваемая Мощность | 225мВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 250МГц |