
SI4431BDY-T1-E3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
123 ₽
МОП-транзистор, P Канал, 5.8 А, -30 В, 0.023 Ом, -10 В, -1 В.
The SI4431BDY-T1-E3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В |
Напряжение Истока-стока Vds | -30В |
Непрерывный Ток Стока | 5.8А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | -1В |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.023Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |