МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -12 В, 0.04 Ом, -4.5 В, -900 мВ.
The SI2315BDS-T1-E3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 750mW.
| Характеристики | |
| SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линия Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | -4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | -12В |
| Непрерывный Ток Стока | -3А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | -900мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 750мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |