
SI7884BDP-T1-GE3
- Наличие: Под заказ 3-4 недели
254 ₽
МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 40 В, 0.0062 Ом, 10 В, 3 В.
The SI7884BDP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
Характеристики | |
SVHC (Особо Опасные Вещества) | No SVHC (15-Jun-2015) |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линия Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 58А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 46Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0062Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |